+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

 мву тм плазма 03-1

МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное,
анизотропное) травление диэлектрических и металлических плёнок.

мву тм плазма 03-2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная обработка подложек
    в одном технологическом цикле: до Ø 150 мм – 1 шт.;
  • Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе
    в диапазоне от 0 до 1000 В;
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
  • Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400 – 600 Вт;
  • Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, CF₄;
  • Безмасляная система откачки;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Мощность потребления не более 5,5 кВт.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

 мву тм плазма 03-3