МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ

МВУ ТМ ПЛАЗМА 03

НАЗНАЧЕНИЕ

Плазмохимическое селективное (реактивно-ионное,
анизотропное) травление диэлектрических и металлических плёнок.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка подложек
  в одном технологическом цикле: до Ø 150 мм – 1 шт.;
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе
  в диапазоне от 0 до 1000 В;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400 – 600 Вт;
• Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, CF₄;
• Безмасляная система откачки;
• Микропроцессорная система управления;
• Мощность потребления не более 5,5 кВт.

    Скачать PDF