МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ МЕТОДОМ РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ

МВУ ТМ ПЛАЗМА 01

НАЗНАЧЕНИЕ

Травление тонких диэлектрических и металлических слоёв, а также полупроводниковых материалов методом реактивно – ионного травления.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле:
  до Ø 150 мм – 1 шт.;
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
• Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
• Рабочие газы: Ar, SF₆, O₂, CF₄;
• Безмасляная система откачки;
• Микропроцессорная система управления;
• Мощность потребления не более 4 кВт.

    Скачать PDF