+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

МВУ ТМ ИЗОФАЗ 02

мву тм изофаз2_1

МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ С ICP ИСТОЧНИКОМ

МВУ ТМ ИЗОФАЗ 02

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение диэлектрических материалов из газовой фазы с
плазменной активацией в ВЧ разряде.

мву тм изофаз2_2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная обработка подложек в одном
    технологическом цикле: до Ø 150 мм – 1 шт.;
  • Реактор с источником ICP плазмы;
  • Регулирование и автоматическое поддержание
    уровня мощности ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
  • Равномерная подача химических реактивов на
    поверхность подложки через газовый душ;
  • Нагрев подложек до 400°C;
  • Рабочие газы: SiH₄, N₂, Ar;
  • Безмасляная система откачки;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Мощность потребления не более 4 кВт.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

 

мву тм изофаз2_3