МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ С ICP ИСТОЧНИКОМ

МВУ ТМ ИЗОФАЗ 02

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение диэлектрических материалов из газовой фазы с
плазменной активацией в ВЧ разряде.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная обработка подложек в одном
  технологическом цикле: до Ø 150 мм – 1 шт.;
• Реактор с источником ICP плазмы;
• Регулирование и автоматическое поддержание
  уровня мощности ВЧ в диапазоне 30 – 200 Вт;
• Равномерная подача химических реактивов на
  поверхность подложки через газовый душ;
• Нагрев подложек до 400°C;
• Рабочие газы: SiH₄, N₂, Ar;
• Безмасляная система откачки;
• Микропроцессорная система управления;
• Мощность потребления не более 4 кВт.

  скачать pdf