+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

МАГНА ТМ 200-04

 1

ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО
РАСПЫЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

МАГНА ТМ 200-04

 НАЗНАЧЕНИЕ

Нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.

плазма тм 200-02_2

 

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
  • Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в рабочую на основе манипулятора;
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин;
  • ВЧ рабочий стол с вертикальным перемещением, поддержкой температуры в диапазоне -20…+450°C, подачей аргона под пластину и прижимом;
  • Магнетронное распылительное устройство с вращающимся магнитным блоком;
  • Предусмотрен режим нанесения пленок из мишени Ø 300мм в импульсном режиме при мощности 10-15 кВт для заполнения глубоких канавок и щелей в изделиях;
  • Механическая заслонка для защиты рабочей поверхности пластины;
  • Система прогрева стенок рабочей камеры до +120°С;
  • Сменные экраны для предотвращения запыления рабочей камеры;
  • Скорость нанесения Сu, не менее 5 нм/с, TiN, не менее 2 нм/с.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

3