ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО
РАСПЫЛЕНИЯ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

МАГНА ТМ 200-04

 НАЗНАЧЕНИЕ

Нанесение магнетронным распылением алюминиевой (Al) металлизации, формирование адгезионных, барьерных (Ta/TaN, Ti/TiN) и зародышевых медных (Cu)слоев для перемычек в контактных и переходных отверстиях межслойных соединений и др.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в рабочую на основе манипулятора;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин;
• ВЧ рабочий стол с вертикальным перемещением, поддержкой температуры в диапазоне -20…+450°C, подачей аргона под пластину и прижимом;
• Магнетронное распылительное устройство с вращающимся магнитным блоком;
• Предусмотрен режим нанесения пленок из мишени Ø 300мм в импульсном режиме при мощности 10-15 кВт для заполнения глубоких канавок и щелей в изделиях;
• Механическая заслонка для защиты рабочей поверхности пластины;
• Система прогрева стенок рабочей камеры до +120°С;
• Сменные экраны для предотвращения запыления рабочей камеры;
• Скорость нанесения Сu, не менее 5 нм/с, TiN, не менее 2 нм/с.

   скачать pdf