ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
С ICP ИСТОЧНИКОМ И ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ
ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ

ИЗОФАЗ ТМ 300

НАЗНАЧЕНИЕ:

Низкотемпературное осаждение диэлектрических
слоев оксида или нитрида кремния из газовой фазы
на подложках диаметром до 300 мм.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Обработка пластин в одном технологическом цикле:
  60х48 мм — 19 шт., Ø 76 мм — 13 шт., Ø 100 мм — 7 шт.,
  Ø 150 мм — 3 шт., Ø 200 мм — 1 шт., Ø 300 мм — 1 шт.;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек на носителе
  из кассеты в кассету;
• Транспортная система переноса подложек на носителе из шлюзовой камеры в
  рабочую камеру на основе манипулятора;
• Рабочие газы: SiH₄, N₂O, O₂, N₂, He и другие;
• Скорость осаждения слоев SiO₂ не менее 0,5 нм/с;
• Нагрев столика до 350°С;
• Мощность потребления не более 21 кВт;
• Безмасляная система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

    Скачать PDF