Вакуумная установка плазмохимического осаждения слоёв из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой
Назначение:
Осаждение диэлектрических материалов из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде.
Особенности:
- Обработка подложек в одном технологическом цикле: 60 х 48 мм – 3 шт.; Ø 76, 100, 150, 200 мм – 1 шт.
- Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
- Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
- Вращающийся ВЧ электрод с нагревом подложек;
- Регулирование и автоматическое поддержание уровня мощности ВЧ ICP источника плазмы в диапазоне 400-600 Вт;
- Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и туромолекулярного насосов;
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 5 кВт;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~ 5 м2.
Скачать PDF