+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

1

ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ С ICP
ИСТОЧНИКОМ ПЛАЗМЫ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др.
плазма тм 200-02_2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
  • Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор
    на основе манипулятора;
  • Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
  • Источник ICP плазмы с плоским индуктором;
  • Нагреваемый ВЧ рабочий стол с поддержанием температуры +40…+300°C,
    подачей гелия под пластину и прижимом;
  • Скорость осаждения диэлектрических слоев, не менее 20 нм/сек;
  • Максимальное аспектное отношение, 3…5;
  • Система прогрева стенок реактора до +80°С;
  • Безмасляная система откачки.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

3-1