ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ С ICP
ИСТОЧНИКОМ ПЛАЗМЫ СО ШЛЮЗОВОЙ ЗАГРУЗКОЙ

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Индивидуальная и групповая обработка подложек на подложкодержателе в одном технологическом цикле: 60х48мм – 7 шт.; Ø 76мм – 4 шт.; Ø 100, 150, 200мм – 1 шт.;
• Транспортная система переноса пластин из шлюзовой камеры в реактор
  на основе манипулятора;
• Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки пластин в кассете;
• Источник ICP плазмы с плоским индуктором;
• Нагреваемый ВЧ рабочий стол с поддержанием температуры +40…+300°C,
  подачей гелия под пластину и прижимом;
• Скорость осаждения диэлектрических слоев, не менее 20 нм/сек;
• Максимальное аспектное отношение, 3…5;
• Система прогрева стенок реактора до +80°С;
• Безмасляная система откачки.

  скачать pdf