ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ С ICP ИСТОЧНИКОМ ПЛАЗМЫ 

ИЗОФАЗ ТМ 200-02

        НАЗНАЧЕНИЕ

          Формирование щелевой изоляции заполнением отверстий диэлектриком, межслойной изоляции осаждением диэлектрика на металлические шины и заполнение зазоров между ними, изолирующего слоя (SiO2, Si3N4) на стенках контактных и переходных отверстий межслойных соединений и др.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Обработка пластин на рабочем столе: Ø 76, 100, 150, 200мм;
• Транспортная система переноса пластин на основе манипулятора;
• Различные варианты исполнения системы загрузки: шлюзовая, из кассеты в кассету, SMIF контейнер;
• Источник ICP плазмы с плоским индуктором;
• Нагреваемый ВЧ рабочий стол с поддержанием температуры +40…+300°C,
  подачей гелия под пластину и прижимом;
• Скорость осаждения диэлектрических слоев, не менее 20 нм/сек;
• Максимальное аспектное отношение, 3…5;
• Система прогрева стенок реактора до +80°С;
• Безмасляная система откачки;
• Может входить в кластерный комплекс.

  скачать pdf