Вакуумная установка плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы с ICP источником и шлюзовой загрузкой
Назначение:
Атомно-слоевое осаждение сверхтонких пленок.
Особенности:
- Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле:
Ø 100, 150, 200 мм — 1 шт. - Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек;
- Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора;
- Реактор с удаленным источником ICP плазмы;
- Нагрев подложек до 400°С;
- Осаждение в термическом режиме и в режиме с удаленным источником ICP плазмы;
- Порты для подключения ампул с прекурсором: с высоким давлением насыщенных паров – 2 шт; с низким давлением насыщенных паров – 2 шт. (опционально кол-во портов до 4 шт.)
- Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и турбомолекулярного насосов;
- Микропроцессорная система управления;
- Мощность потребления не более 5 кВт;
- Возможность встраивания в чистую комнату;
- Площадь, занимаемая одной установкой ~ 5 м2.
Скачать PDF