+7 (495) 229-7501    |    info@niitm.ru    |        |    ENG

ИЗОПЛАЗ ТМ-1

изоплазтм1

МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ

ИЗОПЛАЗ ТМ 1

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение диэлектрических легированных и
нелегированных слоев оксида кремния и слоев нитрида кремния
при пониженном давлении с плазменной активацией.

изоплазтм2

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

  • Групповая обработка 30 пластин до Ø 100 мм;
  • Кварцевый реактор с термостатируемой рабочей зоной;
  • Диапазон рабочих температур 200-500°С;
  • Рабочие газы: PH₃, N₂O, O₂, NH₃, SiH₄, N₂;
  • Микропроцессорная система управления;
  • Безмасляная система откачки;
  • Мощность потребления не более 7 кВт;
  • Возможность встраивания в чистую комнату.

  9c58e38e9870c3807495c61427c56ed5  Скачать PDF

 

изоплазтм3