МАЛОГАБАРИТНАЯ ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ

ИЗОПЛАЗ ТМ 1

НАЗНАЧЕНИЕ:

Осаждение диэлектрических легированных и
нелегированных слоев оксида кремния и слоев нитрида кремния
при пониженном давлении с плазменной активацией.

ОСОБЕННОСТИ

СХЕМА УСТАНОВКИ

• Групповая обработка 30 пластин до Ø 100 мм;
• Кварцевый реактор с термостатируемой рабочей зоной;
• Диапазон рабочих температур 200-500°С;
• Рабочие газы: PH₃, N₂O, O₂, NH₃, SiH₄, N₂;
• Микропроцессорная система управления;
• Безмасляная система откачки;
• Мощность потребления не более 7 кВт;
• Возможность встраивания в чистую комнату.

    Скачать PDF